特許

J-GLOBAL ID：200903051909868040

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： 小山 直之 ,  町井 洋一 ,  吉田 誠人 ,  芦沢 寅之助
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172819
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007061
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、カチオン性を示し、第1級アミン、第2級アミン、第3級アミン又は第4級アンモニウムである水溶性有機低分子から選ばれる低分子添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。本発明のCMP研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに添加剤と水を含む添加液からなり保存安定性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、カチオン性を示し、第1級アミン、第2級アミン、第3級アミン又は第4級アンモニウムである水溶性有機低分子から選ばれる低分子添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00

Fターム (10件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17