特許

J-GLOBAL ID：200903051910196293

電力用半導体装置

発明者： 大沼 智幸
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251846
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 ノーマリオン型のSITを主デバイスした電力用半導体装置であって、従来のSITの取り扱いの難しさを緩和し、駆動を容易に行え、しかもSITの性能を充分に活かすことのできる電力用半導体装置を得る。【解決手段】 SIT1と、MOSFET2と、ツェナーダイオード3と、ダイオード5と、直流電源4とを主要構成要素とする電力用半導体装置であって、前記SIT1のソースと、前記MOSFET2のドレインを直列に接続し、前記SIT1のゲートを前記ツェナーダイオード3のカソードに接続し、前記ツェナーダイオード3のアノードを、前記MOSFET2のソースに接続し、前記ツェナーダイオード3の両端に、ダイオード5を介して、前記直流電源4を接続した電力用半導体装置とする。

請求項（抜粋）：

静電誘導型トランジスタと、絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、ツェナーダイオードと、ダイオードと、直流電源とを主要構成要素とする電力用半導体装置において、前記静電誘導型トランジスタのソースと、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレインを直列に接続し、前記静電誘導型トランジスタのゲートを前記ツェナーダイオードのカソードに接続し、前記ツェナーダイオードのアノードを、前記絶縁ゲート型電解効果トランジスタのソースに接続し、前記ツェナーダイオードの両端に、ダイオードを介して、前記直流電源を接続したことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 1/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H02M 1/08 A ,  H01L 27/04 F

Fターム (14件)：

5F038AV04 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5H740AA04 ,  5H740BA07 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740HH01 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01 ,  5H740LL03