特許
J-GLOBAL ID:200903051916634896

半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-363934
公開番号(公開出願番号):特開2001-185671
出願日: 1999年12月22日
公開日(公表日): 2001年07月06日
要約:
【要約】【課題】 高集積化に伴う多ピン化にもかかわらず、インナーリードのワイヤボンディングに接合不具合が生じ難い半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 インナーリード3の先端部3aにおけるウインドクランパ9にて押圧される側とは反対面側に突出する突起3bを設けて先端部3aを他の部分よりも厚く形成し、ダイパッド2に搭載した半導体チップ1とインナーリード3とをボンディングワイヤ4で接続するに際し、先端部3aをプラテン10にウインドクランパ9で均等かつ安定に押圧固定する。
請求項(抜粋):
ダイパッド上にボンディングされた半導体チップの電極と、インナーリードとをワイヤボンディング装置でワイヤボンディングする半導体装置の製造方法において、前記インナーリードの前記ボンディングする位置若しくはその近傍の裏面側に突出した突起を設け、該突起を前記ワイヤボンディング装置のプラテンに当接させた状態で、前記インナーリードに対する前記ワイヤボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301
FI (2件):
H01L 23/50 S ,  H01L 21/60 301 B
Fターム (6件):
5F044AA01 ,  5F044GG03 ,  5F044GG10 ,  5F067AA10 ,  5F067BB04 ,  5F067DF05

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