特許

J-GLOBAL ID：200903051919403348

配線構造体

発明者： 日野出 憲治 ,  古澤 健志 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-082558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152299
出願日： 1991年04月15日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 サブμmから数μm以上にわたる広い範囲の幅を持った配線でエレクトロマイグレーション寿命が幅によって異なるため素子の信頼度を向上し、長寿命で信頼性の高い微細な半導体装置用配線構造体を提供する。【構成】 基板上の第1の絶縁膜上に形成され、第2の絶縁膜で覆われた、単層のAlもしくはAl合金膜、または高融点金属膜と積層して形成されたAlもしくはAl合金膜配線4で、実験的に決まる臨界長さL以下の間隔で、一部分(図中E-E’、F-F’の部分)がより断面積の小さい二つ以上の配線に細分化されており、細分化された各々の配線が少なくとも一つのバンブー結晶粒界を有する。【効果】 半導体装置の占有面積を増すことなく寿命を改善する。

請求項（抜粋）：

単層のAl、Al合金膜、又は高融点金属膜と積層して形成された導電体で、 一部分が断面積の小さい二つ以上の細線化部に分割されており、分割された各々の配線が少なくとも一つのバンブー結晶粒界を有することを特徴とする配線構造体。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 A