特許
J-GLOBAL ID：200903051920774996
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-283179
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114148
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 X線リソグラフィにおいて、精度の高いマスクとウェハの位置合わせを実現する。【解決手段】 X線マスク4を経由した軟X線3を反射鏡6および7からなる結像光学系を介してウェハ8に照射することでX線マスク4の転写パターン領域4aに形成された回路パターンのウェハ8に対する転写を行うX線露光装置において、ウェハ8上に設けられるウェハマーク9を、軟X線3の照射にて蛍光等の発光1を発生する物質で構成し、X線マスク4の位置合わせマークパターン5より反射した軟X線3を縮小、結像させて、ウェハ8上のウェハマーク9に照射し、この時に発生する蛍光等の発光1を光検出器2にて検出することでX線マスク4とウェハ8の位置合わせを高精度に行う。
請求項（抜粋）：
第1の光を半導体ウェハ上の特定部位に照射することにより前記特定部位から発生する第2の光を検出することで前記半導体ウェハの位置検出を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 531 J
, G03F 9/00 H
5F046EA14
, 5F046EB01
, 5F046ED01
, 5F046FA02
, 5F046FA08
, 5F046FC10
, 5F046GA04
, 5F046GA14
, 5F046GA18
, 5F046GB01
