特許

J-GLOBAL ID：200903051926183841

風橋の形成方法

発明者： マーク ジョン ロボダ
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277686
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172066
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 エレクトロニクス装置の上に風橋を作る新規な方法を提供する。【解決手段】 アモルファス炭化ケイ素を用いて橋の形成の間エレクトロニクス装置中の導電体を保護する。この炭化ケイ素は、風橋形成の後エレクトロニクス装置に気密で物理的保護を提供することもする。

請求項（抜粋）：

次のことを含む、エレクトロニクス装置上に風橋を形成する方法:エレクトロニクス装置(1)上に第1の導体及び分離された第2の導体を形成し、前記複数の導体(2)は相互に横方向に隣合い、空隙(3)によって隔てられた縁部(4)を持ち;相互に横方向に隣合う複数の導体の縁部に第1のアモルファス炭化ケイ素被膜(6)を形成し、この場合空隙が残るがこの空隙は前記被膜の厚さ(7)によって減少されており;前記複数の導体のアモルファス炭化ケイ素で被覆された横方向に隣合う縁部の間の空隙中に犠牲物質(9)をデポジットさせ(deposit);第2のアモルファス炭化ケイ素被膜(11)をデポジットさせて前記犠牲物質を覆い、この被膜は、前記複数の導体の縁部にあるアモルファス炭化ケイ素被膜に接触して前記犠牲物質をカプセル封じし;前記第1及び第2の導体を電気的につなぐ導電性橋(12)をデポジットさせ、前記橋は第1及び第2の導体並びに前記犠牲物質を覆うアモルファス炭化ケイ素被膜の上にデポジットされ;第3のアモルファス炭化ケイ素被膜(13)をデポジットさせて前記導電性橋を覆い;そして前記犠牲物質をエッチングして風橋を残すこと。