特許
J-GLOBAL ID：200903051930228949

シリコン単結晶の製造方法及び半導体単結晶の製造装置

発明者：
飯田 誠

飯田 誠 について

, 
渡辺 弘美

渡辺 弘美 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291637
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097098
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：
【要約】【課題】 シリコン融液の直上に配置された上部炉内構造物に、シリコン融液からの蒸発物が析出し付着するのを効果的に抑制できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 育成炉2の内部において、シリコン融液14を収容したルツボ12を配置し、また、育成した単結晶23を囲繞するように上部炉内構造物5,30を配設する。該上部炉内構造物5内にて上方からルツボ12内のシリコン融液面14aに向かって不活性ガスを下流しながら、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶23を育成する。該シリコン単結晶23の育成中において、上部炉内構造物5の先端開口部から流出した不活性ガスを、ルツボ12の内壁と上部炉内構造物5,30の外壁とに囲まれた空間を経て育成炉2外へ排出させる際に、該不活性ガスが上記の空間を通過する時の流速を6.5cm/sec以上となるよう調整する。
請求項（抜粋）：
育成炉の内部において、シリコン融液を収容したルツボを配置し、また、育成した単結晶を囲繞するように上部炉内構造物を配設し、該上部炉内構造物内にて上方から前記ルツボ内のシリコン融液面に向かって不活性ガスを下流しながら、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するとともに、該シリコン単結晶の育成中において、前記上部炉内構造物の先端開口部から流出した前記不活性ガスを、前記ルツボの内壁と前記上部炉内構造物の外壁とに囲まれた空間を経て育成炉外へ排出させる際に、該不活性ガスが前記空間を通過する時の流速を6.5cm/sec以上となるよう調整することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
C30B 29/06 502 E ,  C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 P
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG20 ,  4G077EG24 ,  4G077HA12 ,  5F053AA12 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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