特許

J-GLOBAL ID：200903051931223134

圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法

発明者： 長谷川 和正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252635
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076291
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 基板材料の選択に自由度を持たせることが可能で、構成体へのダメージが生じず、構成体への剥離層の残存がない圧電・強誘電体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 第1の基板101上に犠牲層102、緩衝層103、下電極104、圧電・強誘電体薄膜105、上電極106を形成し、その後、上電極106、圧電・強誘電体薄膜105、下電極104のパターニング行い、圧電・強誘電体キャパシタを形成し、犠牲層102をエッチングすることにより第1の基板101から緩衝層103及び前記圧電・強誘電体キャパシタを剥離する。その後、第1の基板101から剥離した緩衝層103と圧電・強誘電体キャパシタを第2の基板107上へ固定する。

請求項（抜粋）：

第1の基板上に、犠牲層を形成する工程、前記犠牲層上に緩衝層を形成する工程、前記緩衝層上に少なくとも1層以上の導電層を有してなる下電極を形成する工程、圧電・強誘電体薄膜を形成する工程、少なくとも1層以上の導電層を有してなる上電極を形成する工程、前記上電極及び圧電・強誘電体薄膜をパターニングする工程、前記下電極をパターニングする工程、前記犠牲層をエッチングすることにより前記下電極、圧電・強誘電体薄膜、及び上電極からなる圧電・強誘電体キャパシタ及び前記緩衝層を第1の基板上から剥離する工程、さらに第1の基板から剥離した圧電・強誘電体キャパシタ及び緩衝層を第2の基板上に固定する工程を有することを特徴とする、圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/22

FI (3件)：

H01L 37/02 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 41/22 Z

Fターム (6件)：

5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03