特許

J-GLOBAL ID：200903051935386798

高誘電膜の製造方法及びそれを用いたキャパシタの製造方法

発明者： レ・ハク・ロー
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199763
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098169
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、誘電率が高くて、電気的、物理的な特性が向上した高誘電膜、及びそれを用いたキャパシタを提供すること。【解決手段】 基板を用意するステップと、前記基板上に第1BaXSr1ーXTiO3 層を形成するステップと、前記第1BaXSr1ーXTiO3 層上に組成の異なる第2BaXSr1ーXTiO3 層を形成するステップとを備えて製造されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

最初にBaとSrの比率Xが第1の組成を有し、表面を滑らかにするためのBST層を形成するステップと、その上に上記比率Xが第1の組成と異なり高誘電率の比率である第2組成を有するBST層を形成するステップと、を備えることを特徴とする高誘電膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z