特許
J-GLOBAL ID：200903051936007529
電極形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226382
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061180
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板の表面に金属シリサイドからなる電極層を選択的に形成する方法において、接合破壊を防ぐ。【構成】 シリコン基板10の表面を覆う絶縁層にソース領域22S等の被コンタクト部を露呈するコンタクト孔を形成した後、コンタクト孔内の被コンタクト部にシリコン層23Sを選択的にエピタキシャル成長させ、さらにシリコン層23S及び絶縁層を覆ってチタン層25を形成する。熱処理によりシリコン層23S上でチタン層25をシリサイド化した後未反応のチタンをエッチ除去してチタンシリサイドからなる電極層を得る。シリコン層23Sを設けたので、シリサイド形成に消費される基板シリコンの量が少なくて済み、シリサイド層が接合部に接近するのを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
(a)シリコン基板の表面を覆う絶縁層に該基板の被コンタクト部を露呈するコンタクト孔を形成する工程と、(b)前記コンタクト孔内の被コンタクト部にシリコン層を選択成長させる工程と、(c)前記シリコン層にシリサイド形成金属を被着してシリサイド化処理を施すことにより前記コンタクト孔内の被コンタクト部に金属シリサイドからなる電極層を形成する工程とを含む電極形成法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
