特許
J-GLOBAL ID：200903051942139631
多孔質SiC成形体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高畑 正也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-191099
公開番号（公開出願番号）：特開平8-026848
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年01月30日
要約：
【要約】【目的】 安価な原料を用いて、ウイスカー性状と微粒子性状のSiCが複合した組織からなる高気孔率で材質強度に優れる多孔質SiC成形体の製造方を提供する。【構成】 籾殻の炭化物を最大粒径が40μm0以下になるように粉砕処理する粉砕工程と、粉砕後の籾殻炭化物粉末に炭化性熱硬化性樹脂の溶液を付着させる表面処理工程と、表面処理後の籾殻炭化物粉末を所定形状に成形処理する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気下で1500〜1800°Cの温度域で加熱処理する反応工程と、反応工程後の成形体を大気中で加熱処理して残留炭素成分を焼去する焼却工程とを順次に施す。得られた多孔質SiC成形体を、ポリカルボシランを含む溶液で処理したのち、前記ポリカルボシランがSiC化する温度で焼成処理すると材質強度が一層向上する。
請求項（抜粋）：
籾殻の炭化物を最大粒径が40μm 以下になるように粉砕処理する粉砕工程と、粉砕後の籾殻炭化物粉末に炭化性熱硬化性樹脂の溶液を付着させる表面処理工程と、表面処理後の籾殻炭化物粉末を所定形状に成形処理する成形工程と、成形体を非酸化性雰囲気下で1500〜1800°Cの温度域で加熱処理する反応工程と、反応工程後の成形体を大気中で加熱処理して残留炭素成分を焼去する焼却工程とを順次に施すことを特徴とする多孔質SiC成形体の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
