特許

J-GLOBAL ID：200903051951453365

半導体装置の絶縁膜形成方法

発明者： 福田 永 ,  安田 真
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251439
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜形成後、連続してN2 O雰囲気中で加熱処理を行い、N2 Oガスに含まれる酸素及び窒素がSi3 N4 膜中に侵入し、新たにシリコン酸化膜が形成されると共に、Si3 N4 膜中に混入した水素原子をこの処理にて吐き出し、膜中の水素原子を低減する。【構成】 半導体装置の絶縁膜形成方法において、窒素を含有する反応性ガスであるNH3 雰囲気中で加熱処理を行い、シリコン基板20上にシリコン窒化膜21を形成し、連続して、窒素を含有する酸化性ガスであるN2 Oガス雰囲気中で加熱処理を行い、窒素を含有するシリコン酸化膜22を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)窒素を含有する反応性ガス雰囲気中で加熱処理を行い、シリコン基板上にシリコン窒化膜を形成する工程と、(b)連続して、窒素を含有する酸化性ガス雰囲気中で加熱処理を行い、窒素を含有するシリコン酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。