特許

J-GLOBAL ID：200903051954031089

発光素子

発明者： 井上 英子 ,  瀬尾 哲史 ,  下垣 智子 ,  安部 寛子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004018079
公開番号（公開出願番号）：WO2005-054261
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

本発明の有機金属錯体は下記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする。式中、R1〜R5は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環残基のいずれかを表す。またArは、電子吸引性置換基を有するアリール基または電子吸引性置換基を有する複素環残基を表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表す。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属錯体。

IPC (3件)：

C07F 15/00 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

C07F15/00 E ,  C09K11/06 660 ,  H05B33/14 B ,  C07F15/00 F

Fターム (21件)：

3K007AB03 ,  3K007AB14 ,  3K007DB03 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC07 ,  3K107CC14 ,  3K107CC24 ,  3K107DD53 ,  3K107DD59 ,  3K107DD64 ,  3K107DD67 ,  3K107DD68 ,  3K107DD69 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB17 ,  4H050WB21