特許
J-GLOBAL ID：200903051963859740
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024798
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190530
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 各種のエッチングを簡単に行う。【構成】 絶縁性半導体基板1上に形成された伝導性の半導体層2のうちエッチングしたい部分2aの近傍に半導体層2よりも標準電極電位が大きい金属から成る金属電極3、4を形成した後、エッチングしたい部分2a及び金属電極3、4が露出するようなエッチングマスク5を形成する。この後、電解質溶液から成るエッチング液6中において半導体層2と金属電極3、4との間の局部電池反応を利用して半導体層2のエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
被エッチング物の近傍に上記被エッチング物よりも標準電極電位が高い材料から成る電極を設け、電解液中において上記被エッチング物と上記電極との間の局部電池反応により上記被エッチング物をエッチングするようにしたエッチング方法。
引用特許：
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