半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214402
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078629
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】N形基板に集積されたICを静電破壊より保護するため、基板内の二つのダイオードと基板上の抵抗とにより構成した保護回路で、マイナスサージ時に抵抗の下の絶縁膜が絶縁破壊してESD耐量が低下する問題を解決する。【構成】多結晶シリコン抵抗層直下のN基板表面層に、ダイオードのP領域より高不純物濃度のPウエルを形成する。このPウエルとN基板との間に形成されるダイオードは、保護回路のダイオードより逆耐圧が高いので、サージがこのダイオードへ抜けることがなく、抵抗と基板の短絡が防止される。

請求項（抜粋）：

第一導電形の半導体基板に集積された回路とその入力端子との間に、前記第一導電形の基板とその表面層の第二導電形領域との間に形成された第一ダイオードと、前記基板の表面層の第二導電形領域とその領域の表面層の第一導電形領域との間に形成された第二ダイオードと、前記基板表面と絶縁膜を介する高抵抗率材料層により形成される抵抗とよりなり、ダイオードの一つが電源側に、他のダイオードが大地側に接続される静電破壊保護回路を有するものにおいて、抵抗を形成する高抵抗率材料層の直下の基板表面層に、第一ダイオードの第二導電形領域より高不純物濃度の第二導電形領域が設けられたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06 , H01L 23/60

FI (4件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/06 311 B , H01L 27/06 311 A , H01L 23/56 B

前のページに戻る