特許

J-GLOBAL ID：200903051969184868

半導体装置の製造方法

発明者： 石川 和弘 ,  松村 信弥 ,  竹岡 嘉昭 ,  菅野 純一 ,  竹村 康司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211844
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031725
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子と配線基板との間を封止する封止樹脂が、半導体素子の側面からはみ出すために、はみ出した封止樹脂が空気中の水分を吸収し、その水分が温度変化等の外界の変化により膨張して封止樹脂内に亀裂等の不具合が生じることがある。【解決手段】 複数の半導体素子が形成されたウェハーの電極と、個々の配線基板が連結された連結基板の配線電極とをバンプにより電気的に接続し、ウェハーと連結基板との間に樹脂シートが貼り付けられた状態で、ダイシングにより個々の半導体素子単位ごとに分離する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成されたウェハーの電極にバンプを形成する工程と、前記複数の半導体素子に対応した個々の配線基板が連結された連結基板の表面に樹脂シートを貼り付ける工程と、前記樹脂シートに前記ウェハーの電極形成面を押圧するとともに、前記連結基板の表面に形成された配線電極と前記突起電極とを電気的に接続する工程と、回転ブレードにより前記ウェハーおよび前記連結基板を、前記半導体素子単位ごとに切断する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/34

FI (5件)：

H01L 23/12 501 C ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/34 B ,  H01L 21/78 F

Fターム (15件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BE01 ,  5F036BE09 ,  5F044KK07 ,  5F044LL01 ,  5F044LL05 ,  5F044LL11 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA22 ,  5F061CB13 ,  5F061FA05