特許
J-GLOBAL ID：200903051969587520
半導体パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068657
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283623
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 Auめっき層の厚さを厚くすることなく高温での熱処理にも耐える導体パターンを有する半導体パッケージを提供する。【構成】 セラミック基板1上に設けた導体パターンの膜構成を、前記セラミック基板1上に設けたWまたはMoからなるメタライズ層2と、このメタライズ層2上に設けたNi-W合金またはNi-Pd合金からなるNiめっき層3と、このNiめっき層3上に設けたAuめっき層4とから構成して半導体パッケージを得る。
請求項（抜粋）：
セラミック基板上に設けた導体パターンの膜構成が、前記セラミック基板上に設けたWまたはMoからなるメタライズ層と、このメタライズ層上に設けたNi-W合金からなるNiめっき層と、このNiめっき層上に設けたAuめっき層とからなることを特徴とする半導体パッケージ。
引用特許：
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