特許
J-GLOBAL ID：200903051971708009
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226383
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068160
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 積層型の発光素子の電極作製を容易にして,工程数を低減する。【解決手段】 1)複数の発光素子が積層された積層構造と,該積層構造の一部に積層面から傾斜した傾斜面とを有し,該傾斜面に該発光素子の電極が形成されている半導体発光装置,2)前記傾斜面を形成するに際し,積層面上にパターニングしたマスクを形成し,異方性エッチングにより積層面に対して斜めの方向からエッチングする,3)前記マスクのエッチング速度R<SB>M </SB>と積層した半導体のエッチング速度R<SB>S </SB>との間に, 0.5<R<SB>S </SB>/R<SB>M </SB><1.5 の関係を満たすマスク材料を用いる,5)窒化物半導体を用いた発光素子の積層構造に対し,前記マスクとしてSiO<SB>2</SB>膜を用いる。
請求項（抜粋）：
複数の発光素子が積層された積層構造と,該積層構造の一部に積層面から傾斜した傾斜面とを有し,該傾斜面に該発光素子の電極が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
FI (3件)：
H01L 33/00 F
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
