光酸発生剤、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥山尚一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129559
公開番号（公開出願番号）：特開2003-321466
出願日： 2002年05月01日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：

【要約】【課題】 300nm以下の高エネルギー線に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく、かつ熱安定性、保存安定性に優れる酸発生剤を配合した、高解像性レジスト材料、該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示される新規な化合物、及びこの化合物を好ましくは光酸発生剤として用い、この光酸発生剤とベース樹脂とを含んでなるポジ型レジスト材料を提供する。このポジ型レジスト材料は、塩基性化合物や溶解阻止剤を含んでいてもよい。また、本発明は、このポジ型レジスト材料を基盤上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される化合物。【化1】(式中、R1、R2は互いに同一でも異なってもよく、水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基であり、Yは単結合又は酸素原子、窒素原子若しくは炭素数1〜4のアルキレン基である。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数6〜16のアリール基であり、炭素数1〜4のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、アルコキシ基若しくはフッ素化されたアルコキシ基、又は、ニトロ基、シアノ基、フッ素原子、フェニル基、置換フェニル基、アセチル基若しくはベンゾイルオキシ基で置換されていても良い。X-は炭素数1〜20の非求核性対向イオンを表す。)

IPC (3件)：

C07D327/06 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 601

FI (3件)：

C07D327/06 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/039 601

Fターム (23件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA10 , 2H025AA11 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB13 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 2H025FA17

引用文献：

審査官引用 (1件)

Chemical Abstracts,1971,vol.74,p264,12542u

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