特許
J-GLOBAL ID：200903051971924119
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236743
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087554
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置50に用いる絶縁基板54の引出導体パターン11を不要にして、半導体装置50を小型にすることにある。【解決手段】 半導体装置50は、半導体チップ52を載置する絶縁基板54の積層断面56、半導体チップ52を載置する積層断面56に配置された導電パッド58と半導体チップ52表面に配置された導電パッド60とを接続するボンディングワイヤ62、半導体チップ52を載置する積層断面56から絶縁基板54を貫通する導電体64の終端部66に配置される外部接続端子68を設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に載置された半導体チップの導電パッドと該絶縁基板を貫通する導電体を通じて外部との電気信号を授受する半導体装置であって、前記半導体チップを載置する絶縁基板の積層断面、前記導電体の断面に形成された導電パッドと半導体チップ表面に形成された導電パッドとを接続するボンディングワイヤ、該半導体チップを載置する積層断面から前記絶縁基板を貫通する導電体の終端部に形成される外部接続端子を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 301
, H01L 23/48
H01L 23/12 W
, H01L 21/60 301 D
, H01L 23/48 E
, H01L 23/12 F
