特許

J-GLOBAL ID：200903051976160478

薄膜形成装置

発明者： 岡野 晴雄 ,  関根 誠 ,  野口 禎久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015746
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014826
出願日： 1987年03月18日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 高アスペクト比の溝に対しても薄膜を良好に埋め込むこと。【構成】 反応容器1と、この反応容器1内に設けられ、被処理基体3が載置される試料台2と、反応容器1とは別の領域において第1の反応性ガスを励起する手段9と、励起された第1の反応性ガスとこのガスとは異なる第2の反応性ガスを反応容器1内に導入する手段4と、反応容器1内を所定圧力となるように排気する手段8と、第1及び第2の反応性ガスの反応により生成される反応生成物の前記所定圧力下における沸点以下で薄膜が堆積するように被処理基体3を温度制御する第1の温度制御手段13と、試料台2以外の反応容器1の部分を該部分が前記反応生成物の沸点以上となるように温度制御する第2の温度制御手段14とを具備したことを特徴とする薄膜形成装置。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器内に設けられ、被処理基体が載置される試料台と、前記反応容器とは別の領域において第1の反応性ガスを励起する手段と、少なくとも前記励起された第1の反応性ガスとこのガスとは異なる第2の反応性ガスを前記反応容器内に導入する手段と、前記容器内を所定圧力となるように排気する手段と、前記第1及び第2の反応性ガスの反応により生成される反応生成物の前記所定圧力下における沸点以下で薄膜が堆積するように前記被処理基体を温度制御する第1の温度制御手段と、前記試料台以外の反応容器の部分を該部分が前記反応生成物の沸点以上となるように温度制御する第2の温度制御手段とを具備したことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205