特許

J-GLOBAL ID：200903051983914984

配線形成法

発明者： 日比野 三十四
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346169
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183380
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 W(タングステン)等を非選択的に堆積して接続孔を埋める工程を含む配線形成法において、歩留りを向上させる。【構成】 基板10の表面を覆う絶縁膜12に所定の堆積膜厚で埋め尽せる小サイズの第1の接続孔を形成した後、基板上面にTiNを介してWを非選択的に堆積してから堆積膜をエッチバックすることにより第1の接続孔に埋込まれた形のTiN膜13A及びW膜14Aを形成する。絶縁膜12に第1の接続孔より大きい第2の接続孔を形成した後、基板上面にTiN及びAl合金を順次に被着してから被着層15,16をパターニングすることにより配線層を形成する。大きい接続孔にはWを埋込まないので、埋込み不良がなくなる。

請求項（抜粋）：

基板の表面に第1及び第2の被接続部を覆って形成された絶縁膜に該第1の被接続部に対応して第1の接続孔を形成する工程であって、該第1の接続孔が所望の高融点金属を所望の膜厚で堆積することにより埋め尽せるような小さなサイズを有するものと、前記絶縁膜の上に前記第1の接続孔を覆って前記高融点金属を前記膜厚になるように非選択的に堆積して金属堆積膜を形成する工程と、前記金属堆積膜を前記第1の接続孔の周辺部が露呈されるまでエッチバックして前記第1の接続孔に埋込まれた形で前記金属堆積膜の一部を残存させる工程と、前記第1の接続孔よりサイズが大きい第2の接続孔を前記第2の被接続部に対応して前記絶縁膜に形成する工程と、前記絶縁膜の上に前記金属堆積膜の残存部及び前記第2の接続孔を覆って配線材を被着して配線材層を形成する工程と、前記配線材層を所望の配線パターンに従ってパターニングして前記第1及び第2の被接続部につながる1又は複数の配線層を形成する工程とを含む配線形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 B