特許

J-GLOBAL ID：200903051989176632

化合物半導体のエッチング方法

発明者： 吉田 勝 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053684
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267908
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 表面に凹凸がなく、エッチングレートが大きく、垂直エッチングができるII-VI族化合物半導体のエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングマスク13を形成したZnSe薄膜からなるII-VI族化合物半導体層12を、平行平板型の反応性イオンエッチング装置のカソード電極上に配置する。ドライエッチングガスとして、BCl3 およびH2 で希釈したエタンガスとアルゴンの混合ガスを用いて、高周波電力密度1.1W/ cm2 、BCl3 の圧力を10mTorr 、アルゴンの圧力を10mTorr で一定とし、水素ガスとエタンガスの全圧を40mTorr として、エタンガスの濃度を水素ガスの濃度の1体積%ないし20体積%に変化させてZnSe薄膜のエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

亜鉛またはカドミウムのいずれか1つ以上を含むII族元素とイオウまたはセレンまたはテルルのいずれか1つ以上を含むVI族元素からなるII-VI族化合物半導体をエッチングする方法であって、塩素系ガスと、水素ガスで希釈された炭化水素系ガスと、不活性ガスとの混合ガスの放電雰囲気中に前記II-VI族化合物半導体を晒すことにより、前記II-VI族化合物半導体をエッチングすることを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 33/00 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-044721
  
• 特開平2-299231
  
• 特開平1-104592