特許

J-GLOBAL ID：200903051990492360

絶縁薄膜用の多孔性シリカ薄膜

発明者： 花畑 博之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074265
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280379
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】 密度が0.5〜1.5で、密度(d)と、ヤングモジュラス(E)と硬度(H)との関係が下記関係式(1)および(2)で表され、アルキル基及び/又はフェニル基の含有量が全ケイ素原子数に対し5〜100モル%であることを特徴とする表面平滑な多孔性シリカ薄膜。 2.0+0.16e2.9d≦E≦2.0+1.5e1.8d ・・・(1) 0.3+0.042e2.4d≦H≦0.042e4.2d ・・・(2)〔但し式中、dは薄膜の密度、Hは薄膜の硬度、(E)はヤングモジュラスを示す。〕

請求項（抜粋）：

密度が0.5〜1.5g/cm3で、密度と硬度との関係が下記関係式(1)で表され、アルキル基及び/又はフェニル基の含有量が全ケイ素原子数に対し5〜100モル%であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。 0.3+0.042e2.4d≦H≦0.042e4.2d ・・・・(1)〔但し式中、dは薄膜の密度、Hは薄膜の硬度を示す。〕

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/90 K

Fターム (29件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072KK01 ,  4G072LL06 ,  4G072LL07 ,  4G072LL11 ,  4G072MM36 ,  4G072TT04 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AB01 ,  5F058AB02 ,  5F058AB04 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02