特許
J-GLOBAL ID：200903051995777524

電界効果トランジスタ

発明者：
藁谷 克則

藁谷 克則 について

, 
堀田 収

堀田 収 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001237
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191162
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 有機半導体をチャネル部分に用いた電界効果トランジスタであって、有機半導体薄膜の高い移動度を実現する電界効果トランジスタを目的とする。【構成】 本発明は、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体材料で構成されたチャネル部と、シアノ基を有する絶縁性ポリマーで構成されたゲート絶縁層とを有する電界効果トランジスタであり、有機半導体薄膜中の移動度を向上させ、その結果大きなドレイン電流を得ることができる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体材料で構成されたチャネル部と、シアノ基を有する絶縁性ポリマーで構成されたゲート絶縁層とを有する電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 51/00 ,  C08G 61/12 NLJ ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  C08F120/42 MNC
FI (4件)：
H01L 29/28 ,  H01L 29/78 301 Z ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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