特許

J-GLOBAL ID：200903051996281042

MRI装置及びMRI装置製造方法

発明者： 植田 敏嗣
出願人/特許権者： ジーイー横河メディカルシステム株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013527
公開番号（公開出願番号）：特開平9-201347
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 高温超電導体を超電導磁石として使用した場合に均一な磁場範囲を広くすることが可能なMRI装置を実現する。【解決手段】 ピン止め効果を有する高温超電導体に囲まれた空間が所望の磁場分布になるように該高温超電導体の周囲から磁場を形成し(S1,S2)、前記磁場の形成の後に前記高温超電導体が高温超電導状態を保つように冷却して所望の磁場分布の転写を行い(S3,S4)、この転写の後に高温超電導体の周囲の磁場を取除く(S5,S6)ことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ピン止め効果を有する高温超電導物質で構成され、所望の磁場分布になるように周囲のバイアス磁石により磁場の転写が行われる高温超電導体と、前記磁場の転写が行われる際に前記円筒磁石を高温超電導状態に保つように冷却を行う冷却手段と、を有することを特徴とするMRI装置。

IPC (4件)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/3815 ,  G01R 33/38 ,  H01F 7/20

FI (5件)：

A61B 5/05 331 ,  H01F 7/20 C ,  A61B 5/05 360 ,  G01N 24/06 510 C ,  G01N 24/06 510 Z