特許

J-GLOBAL ID：200903051999231283

化合物半導体選択ドライエッチング方法

発明者： 内山 博幸 ,  谷口 隆文 ,  大部 ▲功▼ ,  今村 慶憲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-226400
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070106
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体素子製作に不可欠な選択性・異方性双方を両立する選択ドライエッチング方法を提供する。【解決手段】エッチングガスとしてSiCl4 とF,SF6 等の炭素を含有しないフッ素系ガスと酸素との混合ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体を選択ドライエッチングにより加工する工程において、SiCl4とF2,SF6等の炭素を含有しないフッ素系ガス、さらに酸素との混合ガスを利用し、異方性と選択性を同時に達成させることを特徴とした化合物半導体選択ドライエッチング方法。

IPC (8件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H