特許
J-GLOBAL ID：200903051999803350
単結晶薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281748
公開番号（公開出願番号）：特開平7-109196
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVDを用いて多結晶基板の上に単結晶薄膜を形成する。【構成】 ECRイオン発生器2によって、下方向に向かう主として中性のNe原子流が形成される。反応ガス導入管13から供給されるシランガス等の反応ガスが、Ne原子流の作用でSiO2 基板11へ吹きつけられ、プラズマCVD反応によってアモルファスSiの薄膜が基板11の上に成長する。同時に、指向性の高いNe原子流は、一部は基板11へ直接入射し、他の一部は反射板12によって進路が曲げられたのちに基板11へ入射する。反射板12は、基板11へ入射するNe原子流の方向が、いずれも単結晶Siの最稠密面に垂直になるように設定されている。このため、ブラベーの法則の作用で、成長しつつあるアモルファスSiが、各入射方向に垂直に最稠密面が配向するように結晶軸の揃った単結晶Si薄膜に逐次転換される。【効果】 多結晶基板の上に単結晶薄膜が形成される。
請求項（抜粋）：
プラズマ化学気相成長法を用いて、多結晶基板またはアモルファス基板の上に所定の物質の単結晶薄膜を形成する方法であって、前記プラズマ化学気相成長法のみでは前記所定の物質の結晶化が起こらない低温度下で、反応ガスを前記基板上に供給すると同時に、形成すべき前記単結晶薄膜における方向の相異なる複数の最稠密結晶面に垂直な方向から、前記所定の物質のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、前記基板上へ照射することを特徴とする単結晶薄膜形成方法。
引用特許：
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