特許

J-GLOBAL ID：200903052011461692

樹脂封止型半導体装置

発明者： 尾形 正次 ,  幸島 博起 ,  広川 孝三 ,  千浜 淳一
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190527
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055867
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 封止後の反りが少なく、かつ温度サイクルに対して接合部の信頼性が優れ、小型軽量化や高性能化に役立つ樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 回路基板6に固着された半導体素子2を封止した半導体装置において、回路基板6のガラス転移温度Tg<SB>(s)</SB>、封止材のガラス転移温度Tg<SB>(E)</SB>及び封止材の成形温度T<SB>(M)</SB>との間に室温(25°C)<Tg<SB>(E)</SB>≦T<SB>(M)</SB><Tg<SB>(S)</SB>なる関係が有り、かつ、回路基板の熱膨張係数α<SB>(S)1</SB>と封止材のガラス転移温度より低温側(ガラスの領域)の熱膨張係数α<SB>(M)1</SB>とガラス転移温度より高温側(ゴム領域)の熱膨張係数α<SB>(M)2</SB>との間に{[α<SB>(M)2</SB>×(T<SB>(M)</SB>-Tg<SB>(E)</SB>)]+[α<SB>(M)1</SB>×(Tg<SB>(E)</SB>-25)]}/[α<SB>(</SB><SB>S)1</SB>×(T<SB>(M)</SB>-25)]=0.8〜1.2なる関係が成り立つ樹脂封止型半導体装置。

請求項（抜粋）：

回路基板、該回路基板に固着された一個又は二個以上の半導体素子、該回路基板の配線部と半導体素子の電極間又は素子間を電気的に接続する接合部材及び該回路基板に搭載された素子を封止しかつ素子の外周部が回路基板と密着するように設けられた封止材から構成される半導体装置において、回路基板のガラス転移温度Tg<SB>(s)</SB>、封止材のガラス転移温度Tg<SB>(E)</SB>及び封止材の成形温度T<SB>(M)</SB>との間に室温(25°C)<Tg<SB>(E)</SB>≦T<SB>(M)</SB><Tg<SB>(S)</SB>なる関係が有り、かつ、回路基板の熱膨張係数α<SB>(S)1</SB>と封止材のガラス転移温度より低温側(ガラスの領域)の熱膨張係数α<SB>(M)1</SB>とガラス転移温度より高温側(ゴム領域)の熱膨張係数α<SB>(M)2</SB>との間に{[α<SB>(M)2</SB>×(T<SB>(M)</SB>-Tg<SB>(E)</SB>)]+[α<SB>(M)1</SB>×(Tg<SB>(E)</SB>-25)]}/[α<SB>(</SB><SB>S)1</SB>×(T<SB>(M)</SB>-25)]=0.7〜1.3なる関係が成り立つことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31