特許
J-GLOBAL ID：200903052011776340
薄膜磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013651
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201061
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 従来のフラックスゲート磁気センサの利点をほぼそのまま生かしながら、小型・軽量で安価な磁気センサを提供する。【構成】 基板10上に、低抵抗材料の薄膜からなる互いに逆巻きの2つのコイル12a,12bを形成し、その各コイル12a,12bの内側に位置するよう高透磁率材料薄膜11a,11bを形成し、更にコイル12a,12bの内側の高透磁率材料薄膜11a,11bを取り巻くように少なくとも一つのコイル13(またはそれに加えて14)を形成した構造により、コイル12a,12bへの交流電流の供給によって高透磁率材料薄膜11a,11b内に膜厚方向への逆向きの磁束を発生させ、フラックスゲート磁気センサとして機能させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、それぞれ低抵抗材料の薄膜をパターニングしてなる互いに逆巻きの2つのコイルが形成され、かつ、少なくともその各コイルの内側に位置するように高透磁率材料からなる薄膜が形成されているとともに、上記各コイルの内側の高透磁率材料薄膜を取り巻くよう、それぞれ低抵抗材料の薄膜をパターニングしてなる少なくとも一つのコイルが形成された薄膜磁気センサ。
IPC (3件)：
G01C 17/30
, G01R 33/04
, H01L 43/00
