特許

J-GLOBAL ID：200903052022693161

半導体装置の捺印方法

発明者： 岩崎 正二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038006
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の特性評価試験結果に基づいた捺印作業を高い信頼性にて行うことができ、特性評価試験結果を別途入力する必要がなく、半導体装置の特性評価試験の分散化及び捺印作業の集約化を行うことができる半導体装置の捺印方法を提供する。【構成】半導体装置の捺印方法は、(イ)特性評価試験装置を用いて半導体装置の特性評価試験を行い、特性評価試験装置とオンラインで結ばれた計算機に特性評価試験結果を記憶させる工程と、(ロ)計算機に記憶された特性評価試験結果をオンラインで受信した捺印装置によって、特性評価試験結果に対応する半導体装置に特性評価試験結果を捺印する工程、を含む。

請求項（抜粋）：

(イ)特性評価試験装置を用いて半導体装置の特性評価試験を行い、特性評価試験装置とオンラインで結ばれた計算機に特性評価試験結果を記憶させる工程と、(ロ)計算機に記憶された該特性評価試験結果をオンラインで受信した捺印装置によって、該特性評価試験結果に対応する半導体装置に特性評価試験結果を捺印する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の捺印方法。

IPC (2件)：

H01L 23/00 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-202652
  
• 特開平4-206844
  
• ICテスト・システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-181487   出願人：九州日本電気株式会社