光起電力素子及び発電システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332063
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181328
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高堆積速度で形成しながら、光電変換効率が高く、光劣化、振動劣化を抑制した光起電力素子及び発電システムを提供することを目的とする。【構成】水素含有シリコン系半導体からなるp、i、n型層で構成され、i型層がアルカリ金属を含有しマイクロ波プラズマCVD(MWPCVD)法によって形成された光起電力素子において、i型層のアルカリ金属及び水素含有量が層厚方向になめらかに変化し、且つp及びn型層の内少なくとも一方はMWPCVD法で形成された層(MWドープ層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドープ層)との積層構造からなり、RFド-プ層がMWド-プ層とi型層との間に配置されたことを特徴とする。また、i型層はGe、C等を含有し、Ge含有量の最大値、C含有量の最小値はp型層に片寄っている。また、i型層はドナー及びアクセプターとなる価電子制御剤を共に含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を積層して構成され、該i型層がアルカリ金属を含有しマイクロ波プラズマCVD法によって形成された光起電力素子において、該i型層のアルカリ金属及び水素含有量が層厚方向になめらかに変化し、且つ該p型層及びn型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造からなり、該RFド-ピング層が該MWド-ピング層と該i型層に挟まれるように配置されたことを特徴とする光起電力素子。

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