特許
J-GLOBAL ID:200903052027615908

イソプロペニルフェノール低重合物の開裂方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 最上 正太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-293084
公開番号(公開出願番号):特開2001-114716
出願日: 1999年10月15日
公開日(公表日): 2001年04月24日
要約:
【要約】【課題】 高純度のイソプロペニルフェノールを得ることができるイソプロペニルフェノール低重合物の開裂方法を提供する。【解決手段】 (1)ビスフェノール、並びに、ビスフェノール製造過程で副生するクロマン誘導体及びフラバン誘導体から選ばれた少なくとも1種の化合物を含むイソプロペニルフェノール低重合物を開裂器に供給し、150〜260°C、40kPa以下の減圧条件下において開裂反応する開裂工程、(2)開裂工程生成物を蒸気状態で蒸留塔に供給し、130〜200°C、40kPa以下の減圧条件下において蒸留する蒸留工程、(3)蒸留工程留出物を凝縮し、その一部を還流比0.01〜3で蒸留工程に還流し、残部を系外に抜き出す還流工程、を含むことを特徴とするイソプロペニルフェノール低重合物の開裂方法。
請求項(抜粋):
ビスフェノール、並びに、ビスフェノール製造過程で副生するクロマン誘導体及びフラバン誘導体から選ばれた少なくとも1種の化合物を含むイソプロペニルフェノール低重合物より、イソプロペニルフェノールを製造するイソプロペニルフェノール低重合物の開裂方法において、(1)ビスフェノール、並びに、ビスフェノール製造過程で副生するクロマン誘導体及びフラバン誘導体から選ばれた少なくとも1種の化合物を含むイソプロペニルフェノール低重合物を開裂器に供給し、150〜260°C、40kPa以下の減圧条件下において開裂反応する開裂工程、(2)開裂工程生成物を蒸気状態で蒸留塔に供給し、130〜200°C、40kPa以下の減圧条件下において蒸留する蒸留工程、(3)蒸留工程留出物を凝縮し、その一部を還流比0.01〜3で蒸留工程に還流し、残部を系外に抜き出す還流工程、を含むことを特徴とするイソプロペニルフェノール低重合物の開裂方法。
IPC (3件):
C07C 37/52 ,  C07C 37/74 ,  C07C 39/19
FI (3件):
C07C 37/52 ,  C07C 37/74 ,  C07C 39/19
Fターム (25件):
4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006AC42 ,  4H006AD11 ,  4H006BA02 ,  4H006BA06 ,  4H006BA09 ,  4H006BA10 ,  4H006BA29 ,  4H006BA30 ,  4H006BA32 ,  4H006BA36 ,  4H006BA37 ,  4H006BA66 ,  4H006BA69 ,  4H006BA90 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BC34 ,  4H006BD40 ,  4H006BD52 ,  4H006BD82 ,  4H006BN30 ,  4H006FC74 ,  4H006FE13
引用特許:
出願人引用 (3件)

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