特許

J-GLOBAL ID：200903052034163800

半導体基板およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 岡田 大介 ,  朝香 勝征
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145238
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326427
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 重金属汚染評価をSPV法によって行うことができるN型半導体基板およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 N型半導体基板として使用する半導体基板1であって、鉄汚染評価を行うためのホウ素が上記N型不純物よりも低濃度に含まれており、SPV法によって鉄汚染評価を行うことができるものである。また、本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、前述した半導体基板1を使用して、その半導体領域に複数の半導体素子を形成する工程を有し、半導体基板1をSPV法によって鉄汚染評価を行うことができるものである。

請求項（抜粋）：

N型不純物が含まれている半導体基板であって、重金属汚染評価を行うためのホウ素が前記N型不純物よりも低濃度に含まれていることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/00 B ,  H01L 21/322 J ,  H01L 27/12 T