特許
J-GLOBAL ID：200903052035027837
半導体光集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334641
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202334
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 選択MOVPE成長技術を用い、高均一、高歩留りで電気的光学的素子特性の優れた光集積回路を製作する。【構成】 (100) n-InP基板101上に、DFBレーザ領域103と光変調器領域104を形成する。それぞれの領域で、開口幅を変えた[011]方向の成長阻止マスク106を形成し減圧MOVPEにより選択成長し、レーザと光変調器の半導体構造を形成する。このとき量子井戸層110とその他の層とで成長圧力をそれぞれ150Torr、25Torrと変えることにより、量子井戸層110のバンドギャップエネルギーの制御と、アンドープ層の層厚のマスク幅依存性の抑制を行なえる。
請求項（抜粋）：
半導体光集積回路の製造方法であって、ストライプ状の開口部を挟んで対向し該開口部の長手軸方向の位置に応じて幅が部分的に異なるような2本の成長阻止膜を半導体基板上に形成する工程と、該半導体基板より屈折率が大きく光を伝搬する作用を有する光導波層と発光あるいは光吸収の作用を有する量子井戸層と該光導波層や該量子井戸層より屈折率の小さなクラッド層とを選択的有機金属気相成長法を用いて該開口部に連続してエピタキシャル成長する工程と、該量子井戸層に電流注入あるいは電界印加を行うための電極構造を形成する工程とを有し、少なくとも該量子井戸層をエピタキシャル成長する際の成長圧力を該光導波層や該クラッド層をエピタキシャル成長する場合より上昇させることを特徴とする半導体光集積回路の製造方法。
IPC (2件)：
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