特許

J-GLOBAL ID：200903052035817080

キャパシタを有する半導体装置

発明者： 藤田 靖 ,  柏原 慶一朗 ,  庄 靖史 ,  松下 誠 ,  歌津 貴繁 ,  花房 潔
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-243745
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093043
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 高温度に加熱されても白金とシリコン、白金とチタンの相互拡散を起こさせないバリア層を備えたキャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 この発明のキャパシタ30は、プラグ11と、バリア層14a、14bと、下部電極層15とを備える。プラグ11は、不純物領域8の上に形成され、シリコンを含む。バリア層14aは、プラグ11の上に形成され、窒化チタンを含む。バリア層14bは、バリア層14aの上に形成され、二酸化チタン(TiO2 )を含む。下部電極層15は、バリア層13bの上に形成され、白金を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面に形成された不純物領域と、その不純物領域の上に形成された、シリコンを含む第1の導電層と、その第1の導電層の上に形成された、窒化物を含む第2の導電層と、その第2の導電層の上に形成された、金属酸化物を含む第3の導電層と、その第3の導電層の上に形成された、白金族元素を含む下部電極層と、その下部電極層の上に形成された誘電体層と、その誘電体層の上に形成された、白金族元素を含む上部電極層とを備えた、キャパシタを有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 681 F