特許
J-GLOBAL ID：200903052036873251
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345751
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116619
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 Pb原子の欠損を防止して分極反転の繰り返しによる残留分極量の減少を抑制し、長期信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11上にシリコン酸化膜12、下部電極層13、強誘電体酸化物層14、拡散防止層15、上部電極層16が順次積層されて構成された構成とする。強誘電体酸化物層14と上部電極層16との間に拡散防止層15を設けることにより、強誘電体酸化物層14のPb原子の上部電極層16への拡散を防止し、強誘電体酸化物層14中のPb原子欠損の形成を防止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
強誘電体酸化物層と、該強誘電体酸化物層を挟む第1の電極層と第2の電極層とからなる強誘電体キャパシタを有する半導体装置であって、
前記強誘電体酸化物層がPbを含む酸化物よりなり、
前記第1の電極層と強誘電体酸化物層との間、及び強誘電体酸化物層と第2の電極層との間のうち、少なくともいずれか一方の間に、強誘電体酸化物層中のPbの拡散を防止する拡散防止層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L27/105
, H01L21/28
, H01L41/08
, H01L41/09
, H01L41/187
, H01L41/22
H01L27/10 444C
, H01L21/28 301R
, H01L27/10 444B
, H01L41/08 D
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101E
, H01L41/18 101F
, H01L41/08 L
4M104AA01
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB36
, 4M104DD34
, 4M104GG16
, 5F083AD21
, 5F083AD51
, 5F083FR01
, 5F083FR02
, 5F083GA06
, 5F083GA21
, 5F083GA25
, 5F083HA06
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083JA44
, 5F083JA45
, 5F083KA05
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA18
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR25
, 5F083PR40
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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