特許

J-GLOBAL ID：200903052037603177

光半導体装置

発明者： 山内 義則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223205
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037328
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課 題】 本発明は、発光素子の発熱による光半導体装置の信頼性の低下を抑制できる光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 (a)熱伝導率が150W/mK以上であり、(b)発光素子を構成する材料の熱膨張係数を1とする場合の熱膨張係数が0.5〜1.5である材料からなるサブマウントと、前記サブマウント上に搭載されている発光素子とを有することを特徴とする光半導体装置。

請求項（抜粋）：

(a)熱伝導率が150W/mK以上であり、(b)発光素子を構成する材料の熱膨張係数を1とする場合の熱膨張係数が0.55〜1.5である材料からなるサブマウントと、前記サブマウント上に搭載されている発光素子とを有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/022

Fターム (13件)：

5F073AA21 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB05 ,  5F073AB15 ,  5F073AB25 ,  5F073CA04 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28 ,  5F073FA02 ,  5F073FA15