特許

J-GLOBAL ID：200903052040930790

半導体装置の製造方法、微細パターン形成用薬液および半導体装置

発明者： 田中 幹宏 ,  石橋 健夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273125
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100428
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 微細レジストパターンの形成において、露光波長の限界を超える微細化を図る。【解決手段】 第1のレジストにより半導体基材上に酸を発生し得る第1のレジストパターンを形成し、第1のレジストパターンの表層部に酸の存在により架橋する架橋剤と膨潤促進剤とを含む薬液を接触させ、薬液から第1のレジストパターンの表層部へ架橋剤と膨潤促進剤とを浸透させて表層部を膨潤させ、第1のレジストパターンの表面から前記薬液を除去し、第1のレジストパターンから酸を発生させることにより第1のレジストパターンの膨潤した表層部に架橋膜を形成して第2のレジストパターンを形成し、この第2のレジストパターンをマスクとして半導体基材をエッチングする。

請求項（抜粋）：

第1のレジストにより半導体基材上に酸を発生し得る第1のレジストパターンを形成する第一工程と、前記第1のレジストパターンの表層部に酸の存在により架橋する架橋剤と膨潤促進剤とを含む薬液を接触させる第二工程と、前記薬液から前記第1のレジストパターンの表層部へ前記架橋剤と膨潤促進剤とを浸透させて前記表層部を膨潤させる第三工程と、前記第1のレジストパターンの表面から前記薬液を除去する第四工程と、前記第1のレジストパターンから酸を発生させることにより前記第1のレジストパターンの前記膨潤した表層部に架橋膜を形成して第2のレジストパターンを形成する第五工程と、この第2のレジストパターンをマスクとして前記半導体基材をエッチングする第六工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/306 B

Fターム (25件)：

2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA11 ,  2H096HA12 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F043CC01 ,  5F043CC07 ,  5F043CC09 ,  5F043CC14 ,  5F043DD07 ,  5F043DD10 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10 ,  5F046NA01 ,  5F046NA11