特許
J-GLOBAL ID：200903052042348126

窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
坂本 恵司

坂本 恵司 について

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桂木 健

桂木 健 について

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森田 大介

森田 大介 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032064
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237458
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】窒化物半導体基板を低欠陥かつ厚膜で成長させ単体基板として製造できるようにする。【解決手段】基板上に窒化物半導体をハイドライド気相成長法等により成長速度を変えて成長させた後、研磨により基板を除去する。
請求項（抜粋）：
第1の面と第2の面とを有し窒化物半導体と異なる材料から成る異種基板の第1の面上に、窒化物半導体から成る第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、前記第1の工程後、前記第1の窒化物半導体上に第2の窒化物半導体を成長させる第2の工程と、前記第2の工程後、前記異種基板の第2の面を研磨して異種基板を除去する第3の工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 33/00 C
Fターム (36件)：
5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045GH09 ,  5F045HA11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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