特許
J-GLOBAL ID：200903052043707200
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071056
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270451
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 別途、照射線抑制層を形成することなく、所定の領域のみ照射線を照射する。【解決手段】 アルミでソース電極22を形成しているので、ソース電極が露出した状態で照射線を照射したとしても、制動X線が発生することがない。また、結晶欠陥領域11の上部には開口部25が形成されているので、照射線を照射した場合にマスクとして機能する。すなわち、アルミ製のソース電極を配線として用いるとともに照射線のマスクとして用いることができる。
請求項（抜粋）：
照射線を照射するための照射領域を有する基板、前記基板の上に設けられた金属配線層、を有する半導体装置であって、前記金属配線層は、軽元素金属で構成されており、前記照射領域の上部の前記金属配線層は、前記照射領域には前記照射線が達する程度に、前記照射領域以外の領域の上部より薄く形成されていること、を特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/322 L
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 658 H
