特許

J-GLOBAL ID：200903052049562700

貼り合わせウェーハの製造方法

発明者： 楯 直人
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-366058
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168790
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 貼り合わせウェーハの製造方法の中でもイオン注入剥離法を採用する方法において、ウェーハにキズが発生することを抑制しつつ生産効率を高める。【解決手段】 本発明は、イオン注入剥離法を採用した貼り合わせウェーハの製造方法であって、貼り合わせの熱処理後に、残存ウェーハ38と貼り合わせウェーハ39との積層体34を個別のウェーハに分離する工程に特徴を有する。まず、分離工程の前に、熱処理のボート27から積層体34を取り出して、分離用カセット10に収容する。そして、分離用カセット10のウェーハ出し入れ口10wに、スリット2の形成された分離部材1を配置し、反対側に回収用カセット20を配置する。そして、これらを一体的に傾斜させ、積層体34のうち上側に位置する残存ウェーハ38のみを回収用カセット20に滑り移動させる。下側に位置する貼り合わせウェーハ39は、スリット2の下端が邪魔になり回収用カセット20へは移動できない仕組みになっている。

請求項（抜粋）：

内部にイオン注入層が形成されたボンドウェーハと、ベースウェーハとを重ね合わせて熱処理することにより、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを接合するとともに、前記イオン注入層にて前記ボンドウェーハに剥離層を形成する熱処理工程と、該熱処理工程を経て得られる貼り合わせウェーハと、剥離を生じたあとの前記ボンドウェーハの残部である残存ウェーハとから構成される積層体を、一方のウェーハが上、他方のウェーハが下となるように分離用カセットに複数組収容する移載工程と、前記積層体を構成する一方のウェーハに対し、他方のウェーハを面内方向に滑り移動させて両者を分離する動作を、前記分離用カセットに収容された複数組の前記積層体について順次的または一斉に行う分離工程と、を含むことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/265 Q

Fターム (18件)：

5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA09 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA18 ,  5F031GA03 ,  5F031GA05 ,  5F031GA45 ,  5F031GA48 ,  5F031GA50 ,  5F031HA01 ,  5F031HA42 ,  5F031HA44 ,  5F031LA07 ,  5F031MA30 ,  5F031MA31 ,  5F031PA02