特許

J-GLOBAL ID：200903052060176057

プラズマCVD装置を用いたガラス膜の製造方法

発明者： 大久保 博行 ,  駒野 晴保 ,  樫村 誠一 ,  岡野 広明
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058797
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261096
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 基板上に成膜されたガラス膜の引張応力を効果的に抑制することができる新規なプラズマCVD装置を用いたガラス膜の製造方法の提供。【解決手段】 高周波電源5を下部電極2側に設けると共に、その高周波電源5から少なくとも380kHz以上の高周波を発生させて基板1上にイオンシース又は十分な量のイオンを生成させながらその基板1上にガラス膜Gを成膜させる。これによって基板1上に成膜されたガラス膜Gに圧縮応力が発生し、引張応力を相殺するように作用するため、ガラス膜本来の引張応力が大幅に抑制され、ガラス膜Gのクラックや基板1の反りを効果的に防止できる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に、基板が設置される下部電極と、原料ガスと酸化性ガスとをシャワー状に供給する上部電極とを収容すると共に、少なくとも一つ以上の高周波電源を備えたプラズマCVD装置を用い、その高周波電源からの高周波により上記原料ガス及び酸化性ガスをプラズマ状態にして上記基板上に反応・堆積させてガラス膜を製造する方法において、上記高周波電源を少なくとも下部電極側に設けると共に、その高周波電源から少なくとも380kHz以上の高周波を発生させてその基板上にイオンシース又は十分な量のイオンを生成させながらその基板上にガラス膜を成膜させるようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置を用いたガラス膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C

Fターム (34件)：

4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA20 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045DC51 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01