特許

J-GLOBAL ID：200903052060623231

電界効果トランジスタ、および電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 沼居 貴陽
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-384608
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150328
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】高速動作を可能にする構成を有する電界効果トランジスタである。【解決手段】電界効果トランジスタは、所定方向にほぼ平行に伸びた複数条の溝が形成された溝基板6上に配向されて形成されたチャネル形成領域としての有機薄膜4、絶縁層5を介して有機薄膜4に対して形成されたゲート電極1、有機薄膜4に接して形成されたソース電極2とドレイン電極3を有する。この構成では、ほぼ溝に沿った方向に有機薄膜4の分子が配向している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定方向にほぼ平行に伸びた複数条の溝が形成された溝基板上に配向されて形成されたチャネル形成領域としての有機薄膜、絶縁層を介して該有機薄膜に対して形成されたゲート電極、該有機薄膜に接して形成されたソース電極とドレイン電極を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618A

Fターム (24件)：

5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF12 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HM02 ,  5F110HM14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平1-173758号公報