パターン側面認識方法および欠陥検出分類方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213713
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031631
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】単層あるいは多層構造から成るパターンが形成されたウェーハのSEM像から、パターンの側面および各層の像、さらに欠陥を有する層を自動認識する。【解決手段】ウェーハ3傾斜時のSEM像(d)に現れるべきパターン最上層側面の像の幅25の大きさは、パターン最上層の実際の厚さとウェーハ3の傾斜角度から算出可能である。欠陥自動分類システムは、その算出された値と一致する大きさの幅の像を検出することで、像22がパターン最上層側面の像であることを認識する。さらに、パターン最上層側面の像22が判明することで、その下の像23がパターン第2層の像であることが認識される。パターンの各層の像を認識することで、その後に行われる欠陥の検出の際に、検出された欠陥が存在する層の特定が可能になる。

請求項（抜粋）：

表面に単層あるいは多層構造から成るパターンを有するウェーハのSEM像から、前記SEM像における前記単層あるいは多層構造の各層の側面の像を認識するパターン側面認識方法であって、前記ウェーハを所定の角度で傾斜させた状態におけるSEM像を得る工程と、前記所定の角度と、前記単層あるいは多層構造の所定の層の側面の厚さまたは上面の幅により、前記SEM像に現れるべき前記所定の層の側面または上面の像の幅を算出する工程と、前記SEM像において、前記算出された幅に相当する幅を有する像を検出することで、前記SEM像における前記所定の層の側面または上面の像を検出する工程と、前記検出された所定の層の側面または上面の像の位置に基づき、前記SEM像における前記単層あるいは多層構造の各層の側面の像を認識する工程とを備える、ことを特徴とするパターン側面認識方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , G01N 21/956 , G01N 23/225 , G06T 1/00 305 , H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/66 J , G01N 21/956 A , G01N 23/225 , G06T 1/00 305 A , H01L 21/30 502 V

Fターム (27件)：

2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001FA01 , 2G001FA06 , 2G001GA13 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA06 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA20 , 2G051DA08 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA39 , 4M106DB05 , 4M106DB21 , 5B057AA03 , 5B057BA01 , 5B057DA03 , 5B057DB02 , 5B057DB05 , 5B057DB09 , 5B057DC09 , 5B057DC22 , 5B057DC33

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