特許
J-GLOBAL ID：200903052065061401
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332735
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181286
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 小型でしかも安価な電子制御用マルチチップパワーモジュールを提供することを目的とする。【構成】 パワーモジュールのシグナル系基板及びパワー系基板は上下に配置された別個の基板からなる。パワー系基板であるヒートシンク303上にはパワーICチップ307が固定される。シグナル系基板はパワーICチップ307上に配置され且つ表裏電極315b、308bを有する薄膜基板301からなる。薄膜基板301上には制御用ICチップ306が配置される。パワーICチップ307及び制御用ICチップ306にはそれぞれバンプ電極308a、315aが配設される。バンプ電極308a、315aはそれぞれ薄膜基板301の裏面電極308b、表面電極315bにコンタクトし、従って、パワーICチップ307と制御用ICチップ306とが電気的に接続される。
請求項（抜粋）：
第1基板と、前記第1基板上に固定されたパワーICチップと、前記パワーICチップ上に形成されたパワー系バンプ電極及びシグナル系バンプ電極と、前記パワーICチップの上に配置された絶縁性薄膜からなる第2基板と、前記第2基板の裏面上に形成され且つ前記パワーICチップの前記シグナル系バンプ電極にコンタクトする裏面電極と、前記第2基板の表面上に形成され且つ前記裏面電極と電気的に接続された表面電極と、前記第2基板上に形成され且つ前記表面電極と電気的に接続された配線と、前記第2基板の上に配置された制御用ICチップと、前記制御用ICチップの裏面に形成され且つ前記第2基板の表面電極にコンタクトするバンプ電極と、前記パワーICチップのパワー系バンプ電極に接続された外部金属リードと、前記第2基板の前記配線に接続された外部金属リードと、を具備する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
