特許

J-GLOBAL ID：200903052065637427

導電体の形成方法

発明者： 木村 紳一郎 ,  野田 浩正 ,  後藤 康 ,  山本 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229630
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097219
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 導電体9A(又は9B)の形成時間を短縮する。現行のドライエッチング装置で導電体を形成する。ドライエッチング装置の稼働率を高める。【構成】 導電体9Aの形成方法において、第1絶縁膜4の表面上に第1金属膜6を形成する工程と、第1金属膜6の表面上に第2絶縁膜7を形成する工程と、第2絶縁膜7にパターンニングを施し、第1金属膜6の一部の表面を露出する開口7Aを形成する工程と、開口7Aから露出する第1金属膜6の一部の表面上に第2金属膜8を選択的に形成する工程と、第2絶縁膜7を除去する工程と、第2金属膜8をエッチングマスクとして使用し、第1金属膜8にパターンニングを施す工程を備える。第2金属膜8は、白金(Pt)又は銅(Cu)膜で形成され、かつ有機金属気相化学成長法で形成される。

請求項（抜粋）：

第1絶縁膜の表面上に第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜の表面上に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜にパターンニングを施し、前記第1金属膜の一部の表面を露出する開口を形成する工程と、前記開口から露出する第1金属膜の一部の表面上に第2金属膜を選択的に形成する工程と、前記第2絶縁膜を除去する工程と、前記第2金属膜をエッチングマスクとして使用し、前記第1金属膜にパターンニングを施す工程を備えたことを特徴とする導電体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 27/04 C