特許
J-GLOBAL ID：200903052072898627
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064108
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261635
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 絶縁層に形成されたトレンチ内に埋込まれるCu配線上に形成されるキャップ層の剥離を抑制する。【解決手段】 絶縁層1に設けられたトレンチ2内に下地層3を介在してCu配線層4を形成し、このCu配線層4上に密着層5を形成する。この密着層5上にキャップ層6を形成する。
請求項（抜粋）：
トレンチが形成された絶縁層と、前記トレンチ内に下地層を介在して埋込まれCuを含む材質により構成される配線層と、前記配線層を覆うように前記トレンチ内に形成された密着層と、前記密着層を覆うように前記トレンチ内に形成されたキャップ層と、を備えた、半導体装置。
引用特許：
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