特許

J-GLOBAL ID：200903052080157440

Cu薄膜形成法

発明者： 平川 正明 ,  村上 裕彦 ,  山川 洋幸
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022017
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223491
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 ダマシンプロセスにおけるCMP処理を容易にするための方法を提供すること。【解決手段】 スパッタ法、メッキ法、CVD法等により配線溝、ビアホール、コンタクトホール等の凹部にCuを埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、Cu微粒子を有機溶媒に分散させたCu分散液を塗布し、塗布膜の形成された基板を、塗布膜中の有機物質を蒸発および燃焼せしめるために焼成し、次いで該焼成により生じたCuOを還元して、犠牲層としてCu薄膜を形成することからなる。

請求項（抜粋）：

配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部にCuを埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、犠牲層としてCu薄膜を形成して、該基板表面を平坦化し、CMP処理を行いやすくすることを特徴とするCu薄膜形成法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 24/00 ,  C23F 13/14

FI (4件)：

H01L 21/88 K ,  C23C 24/00 ,  H01L 21/88 M ,  C23F 13/00 C

Fターム (37件)：

4K044AA11 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BB02 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA18 ,  4K044CA22 ,  4K044CA62 ,  4K060AA10 ,  4K060BA12 ,  4K060BA33 ,  4K060DA01 ,  4K060EA20 ,  4K060EB04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01