特許
J-GLOBAL ID：200903052080815790
ダイヤモンド膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172557
公開番号（公開出願番号）：特開平7-165493
出願日： 1987年01月13日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスの分割率が高く、したがって高純度のダイヤモンド膜を効率的に形成することが可能なダイヤモンド膜の製造方法を提供する。【構成】 本発明では、30〜90vol%の第0族ガスとともに、水素ガスと炭化水素ガスまたは有機化合物ガスよりなる原料ガスを対向する電極1,2間に通過させる。この正極1の径は負極2の径よりも大きくなっている。そして原料ガスも電極1,2間に通過させることともに、この対向電極1,2に、100Vより低い直流電圧を印加することにより、アーク放電柱を生じさせ、ダイヤモンド膜を析出形成させる。特に正極1の径を負極2の径より大とすることによって、アーク放電によるブラズマ部分を広くすることができ、ダイヤモンドの合成をより効率的に行なうことができる。
請求項（抜粋）：
0〜90vol%の第0族ガスとともに、水素ガスと炭化水素ガスまたは有機化合物よりなる原料を、負極の径が正極の径よりも小さく形成された対向する電極間に通過させるとともに、該対向電極間には、100Vより低い直流電圧印加により、アーク放電柱を生じさせることによって、前記原料ガスを水素ガスの解離度の高い高温気体のガスプラズマとなし、該ガスプラズマを前記アーク放電柱近傍に設けた基板に連続的に導入することによって、該基板上にダイヤモンド膜を析出形成するようにしたことを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C23C 16/26
, C23C 16/50
